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台积电计划在2025年使用其首度使用的Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管制造工艺生产芯片。这一制程节点依赖于极紫外（EUV）光刻技术，首批采用N2工艺制造的芯片预计将于2026年交付客户。据报导，台积电正在积极安装EUV光刻机以应对2nm工艺的量产需求，并计划在今后两年内购买超过60台此类设备，投入资金超过4000亿新台币（约合人民币894亿元）。
随着ASML不断扩大产能，预计到2025年将会有30%以上的EUV光刻机交付给台积电。与此同时，其他厂商也将受益于该技术进步。去年ASML为了满足客户需求增产，并计划在明年继续增产。根据信息来源称，今年交付量将达到53台，明年将达到72台以上。
然而，在EUV光刻机市场中存在供应紧张的问题，交货时间通常需要16至20个月。目前传出消息称台积电已经订购了30台EUV光刻机用于其2024年的资本支出计划，而另外35台则将在2025年购买。但考虑到台积电可能会对资本支出进行调整，这些数字最终可能会有所变化。此外，根据消息来源称，台积电有望在今年某个时候接受到最新的High-NA EUV光刻机。
报道还指出，在解决EUV光刻机供应问题的同时，ASML也在努力提升其生产能力。该公司正在扩大其全球产能，并计划将其目标产能提升到90台EUV光刻机、600台DUV光刻机以及20台High-NA EUV光刻机。
最后值得一提的是，由于EUV技术的先进性以及其高昂成本和复杂性等问题所带来的挑战仍然存在。因此，在推进这项新技术方面还需要更多的时间和投资来解决这些问题。

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