近日，上海交通大学的研究团队在单晶石墨烯中首次观测到了电子掺杂情况的超导电性。这项研究成果发表于Nature期刊上。
研究团队成功制备出高质量双层石墨烯与二硒化钨异质结样品，可以施加高达1.6V/nm的垂直位移电场。通过极低温量子输运测量和电场调控，他们揭示了系统中空穴掺杂超导随位移电场和载流子浓度变化的完整相图。
实验证明，在单晶石墨烯中观察到电子掺杂情况下的超导电性是前所未有的。最高超导转变温度分别约为450mK和300mK，这也是目前在单晶石墨烯系统中观察到的最高记录。
这些发现对于理解晶体石墨烯及转角石墨烯系统的超导机理以及设计制备基于石墨烯系统的高质量新型超导量子器件具有重要意义。同时，它们也为未来进一步的研究提供了新的方向和可能性。
这项研究表明，通过对材料进行掺杂、调控外加电压等手段，可以在单晶石墨烯中实现超导电性。这一成果有望促进新一代超导技术的发展，并为科学研究带来突破性的进展。

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